博士研究生陈海阳在Adv. Funct. Mater.上发表研究论文
近年来,平面p-i-n钙钛矿太阳能电池因其结构简单、可溶液加工、低温制备等优点引起了科研工作者的广泛关注。然而,在p型半导体(空穴传输层)上生长出的更偏p型钙钛矿薄膜,通常存在大量的缺电子缺陷,易产生严重的非辐射复合,限制界面处的抽提效率,致使其器件效率普遍低于n-i-p钙钛矿太阳能电池。基于此,苏州大学李耀文等人合成了两种n型有机分子(DMBI-2-Th和DMBI-2-Th-I)用作钙钛矿活性层的掺杂剂。通过实验和理论计算证明了n型有机分子可通过氢转移而形成具有较高单电子占轨道(SOMO)的自由基。因此,SOMO轨道上的电子很容易受热激活转移到钙钛矿(MAPbI3)的导带中,从而实现n型掺杂